تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة |
: |
مقال في مؤتمر |
عنوان الوثيقة |
: |
Lasing Output and Threshold Current Density in P-Doped InP/AlGaInP Quantum Dot Laser Diodes Lasing Output and Threshold Current Density in P-Doped InP/AlGaInP Quantum Dot Laser Diodes |
الموضوع |
: |
physics |
لغة الوثيقة |
: |
الانجليزية |
المستخلص |
: |
We demonstrate the p-doping effect on lasing output and threshold current density. The lasing
wavelength peak became narrower as the doping concentration increases and has a red shift which
consistent with optical absorption ground state. |
اسم المؤتمر |
: |
24th IEEE International Semiconductor Laser Conference (ISLC) |
الفترة |
: |
من : 07/9/2014 هـ - إلى : 10/07/2014 هـ
من : 07/9/2014 م - إلى : 10/07/2014 م |
سنة النشر |
: |
2014 هـ
2014 م |
عدد الصفحات |
: |
1 |
نوع المقالة |
: |
مقالة علمية |
مكان الانعقاد |
: |
Palma de Mallorca, SPAIN |
الجهة المنظمة |
: |
IEEE |
تاريخ الاضافة على الموقع |
: |
Thursday, August 3, 2017 |
|
الباحثون
M. S Al-Ghamdi, | Al-Ghamdi, M. S[ | باحث رئيسي | دكتوراه | msalghamdi@kau.edu.sa |
P.M Smowton | Smowton, P.M | باحث مشارك | دكتوراه | |
A.B Krysa | Krysa, A.B | باحث مشارك | دكتوراه | |
|
الرجوع إلى صفحة الأبحاث
|